Гурӯҳи тадқиқотии муҳаққиқ Ян Лян дар Институти таҳқиқоти пешрафтаи Сучжоу дар Донишгоҳи илм ва технологияи Чин як усули нави истеҳсоли лазерии оксиди нимноқилҳои металлии микро-наноро таҳия кард, ки чопи лазерии сохторҳои нимноқилҳои ZnO бо дақиқии субмикронӣ ва омехтаро амалӣ кард. он бо чопи лазерии металлӣ бори аввал навиштани мустақими лазерии интегралии ҷузъҳо ва схемаҳои микроэлектрониро ба монанди диодҳо, триодҳо, мемристорҳо ва схемаҳои рамзгузорӣ тасдиқ кард ва ҳамин тавр сенарияи татбиқи коркарди лазерии микро-нано ба соҳаи микроэлектроника васеъ карда шуд. электроникаи чандир, сенсорҳои пешрафта, Intelligent MEMS ва дигар соҳаҳо дурнамои муҳими татбиқ доранд. Натиҷаҳои тадқиқот ба наздикӣ дар "Табиат коммуникатсияҳо" таҳти унвони "Микроэлектроникаи лазерӣ чопшуда" нашр шуданд.
Электроникаи чопӣ як технологияи пайдошудаест, ки усулҳои чопро барои истеҳсоли маҳсулоти электронӣ истифода мебарад. Он ба хусусиятҳои чандирӣ ва фардӣкунонии насли нави маҳсулоти электронӣ мувофиқат мекунад ва ба саноати микроэлектроника инқилоби нави технологӣ меорад. Дар тӯли 20 соли охир, чопи рангӣ, интиқоли лазерӣ (LIFT) ё дигар усулҳои чопӣ барои тавлиди дастгоҳҳои функсионалии микроэлектроникии органикӣ ва ғайриорганикӣ бидуни эҳтиёҷ ба муҳити тозаи ҳуҷра ба муваффақиятҳои бузург ноил шуданд. Бо вуҷуди ин, андозаи хоси усулҳои чопи дар боло зикршуда одатан аз рӯи даҳҳо микрон аст ва аксар вақт раванди коркарди пас аз ҳарорати баландро талаб мекунад ё ба маҷмӯи равандҳои сершумор барои ноил шудан ба коркарди дастгоҳҳои функсионалӣ такя мекунад. Технологияи коркарди микро-нано лазерӣ аз таъсири мутақобилаи ғайрихаттӣ байни импулсҳои лазерӣ ва маводҳо истифода мебарад ва метавонад ба сохторҳои мураккаби функсионалӣ ва истеҳсоли иловагии дастгоҳҳо ноил шавад, ки бо усулҳои анъанавӣ бо дақиқии <100 нм ба даст овардан душвор аст. Бо вуҷуди ин, аксарияти сохторҳои лазерии микро-нано-сохташуда маводи ягонаи полимерӣ ё маводи металлӣ мебошанд. Набудани усулҳои навиштани мустақими лазерӣ барои маводи нимноқилҳо инчунин васеъ кардани истифодаи технологияи коркарди микро-нано лазерӣ дар соҳаи дастгоҳҳои микроэлектрониро душвор мегардонад.
Дар ин рисола, пажӯҳишгар Янг Лианг дар ҳамкорӣ бо муҳаққиқони Олмон ва Австралия чопи лазериро ҳамчун технологияи чопи дастгоҳҳои электронии функсионалӣ, амалӣ намудани нимноқил (ZnO) ва барандаи (Чопи композитии лазерии маводи гуногун ба монанди Pt ва Ag) таҳия кардааст. (Расми 1) ва умуман ягон қадами раванди баъди коркарди ҳарорати баландро талаб намекунад ва андозаи ҳадди ақали хусусият <1 мкм аст. Ин му-ваффакият имкон медихад, ки конструк-ция ва чопи кондукторхо, нимно-килхо ва хатто накшаи масолехи изоляционй мувофики вазифахои аппаратхои микроэлектронй мувофик карда шавад, ки ин дурустй, чандоният ва идорашавандаи чопи дастгоххои микроэлектрониро хеле бехтар мекунад. Дар ин асос, гурӯҳи тадқиқотӣ навиштани мустақими лазерии интегралии диодҳо, мемристорҳо ва схемаҳои рамзгузории аз ҷиҳати ҷисмонӣ такрорнашавандаро бомуваффақият амалӣ кард (Расми 2). Ин технология бо чопи анъанавии inkjet ва технологияҳои дигар мувофиқ аст ва интизор меравад, ки ба чопи маводи оксиди металлии нимноқилҳои навъи P ва N-навъи васеъ карда шавад, ки усули нави систематикии коркарди мураккаб, миқёси калон, асбобхои микроэлектроникии функсионалии сечанд.
Тезис:https://www.nature.com/articles/s41467-023-36722-7
Вақти фиристодан: 09-09-2023