Ҷадвали параметрҳои маҳсулот
| Nd: Ce: Нишондиҳандаҳои техникии чӯбҳои булӯрии лазерии YAG |
| Консентратсияи допинг | Nd: 0.1 ~ 1.4at%, Ce: 0.05 ~ 0.1at% |
| Самти кристалл | <111>+50 |
| Таҳрифи пеши мавҷи интиқол | с0,1А/дюйм |
| Таносуби нобудшавӣ | ≥25дБ |
| Андозаи маҳсулот | Диаметр≤50мм, Дарозӣ≤150 ммСлатҳо ва дискҳоро мувофиқи талаботи муштарӣ фармоиш додан мумкин аст. |
| Таҳаммулпазирии андозагирӣ | Диаметр: + 0,00 / - 0,05 мм, Дарозӣ: ± 0,5 мм |
| Коркарди рӯи силиндрӣ | Суфтакунии нозук, сайқал додан, ришта кашидан |
| Параллелизми рӯйи ниҳоӣ | ≤ 10" |
| Перпендикулярии рӯйи охири ба меҳвари асо | ≤ 5' |
| Ҳамвор будани рӯи охири | 入/10 @632.8nm |
| Сифати рӯизаминӣ | 10-5 (MIL-0-13830A) |
| Чамфер | 0,15+0,05мм |
| Пӯшидани | S1/S2:R@1064nms0.2% |
| S1:R@1064nm≤0,2%，S2:R@1064=20+3% |
| S1:R@1064nm≤0.2%，S2:R@1064nmz99.8% |
| Дигар системаҳои филмро фармоиш додан мумкин аст. |
| Ҳадди зарари лазерии қабати филм | ≥500МВт/см2 |
| Дарозии мавҷи лазерӣ | 1064нм |
| Дарозии мавҷи абсорбсияи насосии диод | 808нм |
| Индекси рефрактивӣ | 1,8197@1064нм |
| махсус | Металлизатсияи рӯизаминӣ |
| Кунҷи кунҷи охири рӯй, сатҳи конкав/конвекс ва ғайра. |
