Ҷадвали параметрҳои маҳсулот
Nd: Ce: Нишондиҳандаҳои техникии чӯбҳои булӯрии лазерии YAG |
Консентратсияи допинг | Nd: 0.1 ~ 1.4at%, Ce: 0.05 ~ 0.1at% |
Самти кристалл | <111>+50 |
Таҳрифи пеши мавҷи интиқол | с0,1А/дюйм |
Таносуби нобудшавӣ | ≥25дБ |
Андозаи маҳсулот | Диаметр≤50мм, Дарозӣ≤150 ммСлатҳо ва дискҳоро мувофиқи талаботи муштарӣ фармоиш додан мумкин аст. |
Таҳаммулпазирии андозагирӣ | Диаметр: + 0,00 / - 0,05 мм, Дарозӣ: ± 0,5 мм |
Коркарди рӯи силиндрӣ | Суфтакунии нозук, сайқал додан, ришта кашидан |
Параллелизми рӯйи ниҳоӣ | ≤ 10" |
Перпендикулярии рӯйи охири ба меҳвари асо | ≤ 5' |
Ҳамвор будани рӯи охири | 入/10 @632.8nm |
Сифати рӯизаминӣ | 10-5 (MIL-0-13830A) |
Чамфер | 0,15+0,05мм |
Пӯшидани | S1/S2:R@1064nms0.2% |
S1:R@1064nm≤0,2%,S2:R@1064=20+3% |
S1:R@1064nm≤0.2%,S2:R@1064nmz99.8% |
Дигар системаҳои филмро фармоиш додан мумкин аст. |
Ҳадди зарари лазерии қабати филм | ≥500МВт/см2 |
Дарозии мавҷи лазерӣ | 1064нм |
Дарозии мавҷи абсорбсияи насосии диод | 808нм |
Индекси рефрактивӣ | 1,8197@1064нм |
махсус | Металлизатсияи рӯизаминӣ |
Кунҷи кунҷи охири рӯй, сатҳи конкав/конвекс ва ғайра. |